高频变压器屏蔽铜铂对漏感，寄生电容和EMI的影响
高频变压器屏蔽铜铂对漏感，寄生电容和EMI的影响；高频变压器绕制时,在原边和副边之间增加绕组或铜箔，引出一端接到原边的工作地上面，叫内部屏蔽：主要目的是将原边的共模干扰信号通过屏蔽层回流到骚扰源，如果没有这个屏蔽层，有一部共模干扰信号就会通过原副边绕组之间的层间电容传递到副边，从而引起输出端的EMI问题。
在变压器的外部紧贴磁芯和绕组包覆一层铜箔，这一层铜箔要闭合，形成一个环形回路，叫外部屏蔽。变压器的漏感磁场不在磁芯内部闭合，而是泄漏到外部空间，在高频应用时，较强的漏磁场会在输入和输出端口的闭合回路上感应出电压，导致EMI测试结果变差。如果有外部屏蔽层，根据电磁感应原理，屏蔽层内会感应出电流，形成相反的磁场，抵消变压器漏磁场的影响。
变压器加屏蔽铜铂，主要还是根据EMI情况而设计的，根据共模噪声和差模噪声所引起的原因，可以看出主要还是对共模干扰起作用。。。
1.共模噪声电流Icm指的是LINE，NEUTRAL两线相对于接地线的噪声干扰的电流分量；
共模噪声干扰电流主要是由电源电路中的功率管对地的寄生电容，快速二极管对地的寄生电容，以及变压器的寄生电容和杂散电容所引起；
2.差模噪声电流Idm指的是直接流经L和N线（不流经地线）的噪声干扰电流分量；
差模噪声干扰电流则是由电源电路初级端的非连续电流和输入滤波大电容（电解电容）上的寄生电阻及寄生电感所造成！
加入内部屏蔽层，增大层间距离，减小层间电容，减低初次级耦合度，增大漏感！
变压器是一个噪声源,而初级次级的漏感及初级的层间电容、 次级的层间电容、初级和次级之间的耦合电容则是噪声的通道。初级或次级的层间电容可以通过减小绕组的层数来降低，增大变压器骨架窗口的宽度可在减小绕组的层数。分离的绕组如初级采用三明治绕法可以减小初级的漏感，但由于增大了初级和次级的接触面积，因而增大了初级和次级的耦合电容。采用铜皮的屏蔽可以减小初级与次级间的耦合电容。屏蔽层绕在初级与次级之间,并且要接到初级或次级的静点如初级地和次级地.屏蔽层使初级和次级的耦合系数降低，从而增加了漏感。
文章由：UU型滤波器 工字电感http://www.zslcdz.com整理提供
在变压器的外部紧贴磁芯和绕组包覆一层铜箔，这一层铜箔要闭合，形成一个环形回路，叫外部屏蔽。变压器的漏感磁场不在磁芯内部闭合，而是泄漏到外部空间，在高频应用时，较强的漏磁场会在输入和输出端口的闭合回路上感应出电压，导致EMI测试结果变差。如果有外部屏蔽层，根据电磁感应原理，屏蔽层内会感应出电流，形成相反的磁场，抵消变压器漏磁场的影响。
变压器加屏蔽铜铂，主要还是根据EMI情况而设计的，根据共模噪声和差模噪声所引起的原因，可以看出主要还是对共模干扰起作用。。。
1.共模噪声电流Icm指的是LINE，NEUTRAL两线相对于接地线的噪声干扰的电流分量；
共模噪声干扰电流主要是由电源电路中的功率管对地的寄生电容，快速二极管对地的寄生电容，以及变压器的寄生电容和杂散电容所引起；
2.差模噪声电流Idm指的是直接流经L和N线（不流经地线）的噪声干扰电流分量；
差模噪声干扰电流则是由电源电路初级端的非连续电流和输入滤波大电容（电解电容）上的寄生电阻及寄生电感所造成！
加入内部屏蔽层，增大层间距离，减小层间电容，减低初次级耦合度，增大漏感！
变压器是一个噪声源,而初级次级的漏感及初级的层间电容、 次级的层间电容、初级和次级之间的耦合电容则是噪声的通道。初级或次级的层间电容可以通过减小绕组的层数来降低，增大变压器骨架窗口的宽度可在减小绕组的层数。分离的绕组如初级采用三明治绕法可以减小初级的漏感，但由于增大了初级和次级的接触面积，因而增大了初级和次级的耦合电容。采用铜皮的屏蔽可以减小初级与次级间的耦合电容。屏蔽层绕在初级与次级之间,并且要接到初级或次级的静点如初级地和次级地.屏蔽层使初级和次级的耦合系数降低，从而增加了漏感。
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